Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения — 3-е изд.

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения — 3-е изд. / К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. - Москва : Лаборатория знаний, 2017. - 307 с. - ISBN 978-5-00101-445-4. - URL: https://ibooks.ru/bookshelf/359646/reading (дата обращения: 20.04.2024). - Текст: электронный.